(三)半導(dǎo)體探測器
半導(dǎo)體探測器具有分辨率高、脈沖上升時間短、γ射線探測儀半導(dǎo)體探測器結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點(diǎn)。半導(dǎo)體探測器按結(jié)構(gòu)可以分為PN結(jié)型、PIN結(jié)型;按工藝可以分為面壘型、擴(kuò)散型、離子注入型、鋰漂移型;按材料可分為鍺、硅和化合物型;按外形可分平面型、同軸型。
從原理上講,半導(dǎo)體探測器可以看作是一個電壓反接的PN結(jié)。PN結(jié)的結(jié)區(qū)就是半導(dǎo)體探測器的靈敏區(qū)。當(dāng)帶電粒子或電磁輻射與探測器物質(zhì)相互作用,產(chǎn)生的次級電子進(jìn)入靈敏區(qū)時,γ射線探測儀半導(dǎo)體探測器在其內(nèi)形成電子和空穴對。在高的反向電場作用下,電子、空穴分別向正、負(fù)極運(yùn)動,并被電極收集,而得到一個電脈沖。
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